參數(shù)資料
型號： APT75GN120B2
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： T-MAX, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大?。?/td> 402K
代理商： APT75GN120B2
050-7607
Rev
C
10-2005
APT75GN120B2_L(G)
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
V
GS(TH)
,THRESHOLD
VOLTAGE
V
CE
,COLLECTOR-TO-EMITTER
VOLTAGE
(V)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
(NORMALIZED)
I C,
DC
COLLECTOR
CURRENT(A)
V
CE
,COLLECTOR-TO-EMITTER
VOLTAGE
(V)
V
GE
,GATE-TO-EMITTER
VOLTAGE
(V)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
250s PULSE
TEST<0.5 % DUTY
CYCLE
160
140
120
100
80
60
40
20
0
160
140
120
100
80
60
40
20
0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
0.80
0.75
0.70
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0
2
4
6
8
10
12
14
0
100
200
300
400
500
8
10
12
14
16
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
160
140
120
100
80
60
40
20
0
16
14
12
10
8
6
4
2
0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
300
250
200
150
100
50
0
V
CE, COLLECTER-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
V
CE, COLLECTER-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
FIGURE 1, Output Characteristics(TJ = 25°C)
FIGURE 2, Output Characteristics (TJ = 125°C)
V
GE, GATE-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
GATE CHARGE (nC)
FIGURE 3, Transfer Characteristics
FIGURE 4, Gate Charge
VGE, GATE-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
TJ, Junction Temperature (°C)
FIGURE 5, On State Voltage vs Gate-to- Emitter Voltage
FIGURE 6, On State Voltage vs Junction Temperature
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
TC, CASE TEMPERATURE (°C)
FIGURE 7, Threshold Voltage vs. Junction Temperature
FIGURE 8, DC Collector Current vs Case Temperature
13 &15V
11V
10V
9V
12V
8V
7V
V
GE = 15V.
250s PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
T
J = 125°C
T
J = 25°C
T
J = -55°C
T
J = 125°C
T
J = 25°C
T
J = -55°C
VGE = 15V
V
CE = 960V
V
CE = 600V
V
CE = 240V
IC = 75A
TJ = 25°C
T
J = 25°C.
250s PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
I
C = 150A
I
C = 75A
I
C = 37.5A
I
C = 150A
I
C = 75A
I
C = 37.5A
LeadTemperature
Limited
LeadTemperature
Limited
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PDF描述
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APT75GN120JR 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:
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