參數(shù)資料
型號(hào)： APT75GP120J
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 128 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ISOTOP-4
文件頁(yè)數(shù)： 1/6頁(yè)
文件大小： 103K
代理商： APT75GP120J
050-7422
Rev
B
5-2003
APT75GP120J
1200V
The POWER MOS 7 IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs.
Using Punch Through Technology this IGBT is ideal for many high frequency,
high voltage switching applications and has been optimized for high frequency
switchmode power supplies.
Low Conduction Loss
50 kHz operation @ 800V, 20A
Low Gate Charge
20 kHz operation @ 800V, 44A
Ultrafast Tail Current shutoff
RBSOA rated
MAXIMUM RATINGS
All Ratings: TC = 25°C unless otherwise specified.
CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.
APT Website - http://www.advancedpower.com
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
MIN
TYP
MAX
1200
3
4.5
6
3.3
3.9
3.0
1000
5000
±100
Characteristic / Test Conditions
Collector-Emitter Breakdown Voltage (VGE = 0V, IC = 1000A)
Gate Threshold Voltage
(VCE = VGE, IC = 2.5mA, Tj = 25°C)
Collector-Emitter On Voltage (VGE = 15V, IC = 75A, Tj = 25°C)
Collector-Emitter On Voltage (VGE = 15V, IC = 75A, Tj = 125°C)
Collector Cut-off Current (VCE = 1200V, VGE = 0V, Tj = 25°C)
2
Collector Cut-off Current (VCE = 1200V, VGE = 0V, Tj = 125°C)
2
Gate-Emitter Leakage Current (VGE = ±20V)
Symbol
BVCES
VGE(TH)
VCE(ON)
ICES
IGES
UNIT
Volts
A
nA
Symbol
VCES
VGE
VGEM
IC1
IC2
ICM
RBSOA
PD
TJ,TSTG
TL
APT75GP120J
1200
±20
±30
128
57
300
300A @ 960V
543
-55 to 150
300
UNIT
Volts
Amps
Watts
°C
Parameter
Collector-Emitter Voltage
Gate-Emitter Voltage
Gate-Emitter Voltage Transient
Continuous Collector Current @ TC = 25°C
Continuous Collector Current @ TC = 110°C
Pulsed Collector Current 1
@ TC = 25°C
Reverse Bias Safe Operating Area @ TJ = 150°C
Total Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature Range
Max. Lead Temp. for Soldering: 0.063" from Case for 10 Sec.
POWER MOS 7
IGBT
G
C
E
SOT-227
G
E
C
ISOTOP
"UL Recognized"
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT75GP120J 128 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APT8024B2LL 31 A, 800 V, 0.24 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT8024LLLG 31 A, 800 V, 0.24 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA
APT8024LLL 31 A, 800 V, 0.24 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA
APT8024B2LL 31 A, 800 V, 0.24 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APT75GP120JDQ3 功能描述:IGBT 1200V 128A 543W SOT227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:POWER MOS 7® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APT75GT120JR 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Thunderbolt IGBT
APT75GT120JRDQ3 功能描述:IGBT 1200V 97A 480W SOT227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:Thunderbolt IGBT® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APT75GT120JU2 功能描述:IGBT 1200V 100A 416W SOT227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:Trench + Field Stop IGBT® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APT75GT120JU3 功能描述:POWER MOD IGBT 1200V 100A SOT227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:Trench + Field Stop IGBT® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*