參數(shù)資料
型號： APT15GT60BRDQ1
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 42 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝： TO-247, 3 PIN
文件頁數(shù)： 6/9頁
文件大?。?/td> 252K
代理商： APT15GT60BRDQ1
052-6284
Re
v
B
6-2008
APT15GT60BRDQ1(G)
APT15DQ60
IC
A
D.U.T.
VCE
Figure21,InductiveSwitchingTestCircuit
VCC
Figure22,Turn-onSwitchingWaveformsandDefinitions
Figure23,Turn-offSwitchingWaveformsandDefinitions
T
J = 125°C
Collector Current
Collector Voltage
Gate Voltage
Switching Energy
5%
10%
t
d(on)
90%
10%
t
r
T
J = 125°C
Collector Voltage
Collector Current
Gate Voltage
Switching Energy
0
90%
t
d(off)
10%
t
f
90%
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT15GT60KR 42 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB
APT17M120JCU3 17 A, 1200 V, 0.816 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT18-3026R 6000 MHz - 18000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER
APT18-3026 6000 MHz - 18000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER
APT18-3026R 6000 MHz - 18000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER
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參數(shù)描述
APT15GT60BRDQ1G 功能描述:IGBT 600V 42A 184W TO247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:Thunderbolt IGBT® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
APT15GT60BRG 功能描述:IGBT 600V 42A 184W TO247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:Thunderbolt IGBT® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
APT15GT60KR 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:The Thunderbolt IGBT⑩ is a new generation of high voltage power IGBTs.
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APT15S20BCT 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:HIGH VOLTAGE SCHOTTKY DIODE
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