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參數(shù)資料
| 型號： | APT15GT60BRDQ1 |
| 廠商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 42 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
| 封裝： | TO-247, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 252K |
| 代理商： | APT15GT60BRDQ1 |
052-6284
Re
v
B
6-2008
APT15GT60BRDQ1(G)
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
V
GS(TH)
,
THRESHOLD
V
OL
TA
GE
V
CE
,COLLECT
OR-T
O-EMITTER
V
OL
TA
GE
(V)
I C
,COLLECT
OR
CURRENT
(A)
I C
,COLLECT
OR
CURRENT
(A)
(NORMALIZED)
I C,
DC
COLLECT
OR
CURRENT(A)
V
CE
,COLLECT
OR-T
O-EMITTER
V
OL
TA
GE
(V)
V
GE
,GA
TE-T
O-EMITTER
V
OL
TA
GE
(V)
I C
,COLLECT
OR
CURRENT
(A)
250s PULSE
TEST<0.5 % DUTY
CYCLE
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
0.80
0.75
0.70
0
1
2
3
4
5
0
5
10
15
20
0
2
4
6
8
10
12
0
10
20
30
40
50
60
70
80
6
8
10
12
14
16
25
50
75
100
125
150
-50 -25
0
25
50
75
100 125 150
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
16
14
12
10
8
6
4
2
0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
60
50
40
30
20
10
0
V
CE, COLLECTER-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
V
CE, COLLECTER-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
FIGURE1,OutputCharacteristics(T
J =25°C)
FIGURE2,OutputCharacteristics(T
J =125°C)
V
GE, GATE-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
GATE CHARGE (nC)
FIGURE3,TransferCharacteristics
FIGURE4,GateCharge
V
GE, GATE-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
T
J,JunctionTemperature(°C)
FIGURE5,OnStateVoltagevsGate-to-EmitterVoltage
FIGURE6,OnStateVoltagevsJunctionTemperature
T
J,JUNCTIONTEMPERATURE(°C)
T
C,CASETEMPERATURE(°C)
FIGURE7,ThresholdVoltagevs.JunctionTemperature
FIGURE8,DCCollectorCurrentvsCaseTemperature
15V
9V
8V
7V
10V
T
J = 125°C
T
J = 25°C
T
J = -55°C
T
J = 25°C.
250s PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
I
C = 30A
I
C = 15A
I
C = 7.5A
V
GE = 15V.
250s PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
I
C = 30A
I
C = 15A
I
C = 7.5A
T
J = 125°C
T
J = 25°C
T
J = -55°C
13V
V
CE = 480V
V
CE = 300V
V
CE = 120V
I
C = 15A
T
J = 25°C
V
GE = 15V
6V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT15GT60KR | 42 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB |
| APT17M120JCU3 | 17 A, 1200 V, 0.816 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APT18-3026R | 6000 MHz - 18000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER |
| APT18-3026 | 6000 MHz - 18000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER |
| APT18-3026R | 6000 MHz - 18000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APT15GT60BRDQ1G | 功能描述:IGBT 600V 42A 184W TO247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:Thunderbolt IGBT® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| APT15GT60BRG | 功能描述:IGBT 600V 42A 184W TO247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:Thunderbolt IGBT® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| APT15GT60KR | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:The Thunderbolt IGBT⑩ is a new generation of high voltage power IGBTs. |
| APT15GT60KRG | 功能描述:IGBT 600V 42A 184W TO220 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:Thunderbolt IGBT® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| APT15S20BCT | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:HIGH VOLTAGE SCHOTTKY DIODE |
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