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參數(shù)資料
| 型號： | AP9980H |
| 廠商： | ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP |
| 英文描述： | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
| 中文描述： | N溝道增強模式 |
| 文件頁數(shù)： | 4/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 83K |
| 代理商： | AP9980H |
Fig 7. Gate Charge Characteristics
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics
Q
rr
Fig 9. Maximum Safe Operating Area
Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance
Fig 11. Switching Time Waveform
Fig 12. Gate Charge Waveform
AP9980H/J
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
V
DS
90%
V
GS
10%
Q
V
G
4.5V
Q
GS
Q
GD
Q
G
Charge
0
2
4
6
8
10
12
0
10
20
30
40
Q
G
, Total Gate Charge (nC)
V
G
I
D
=12A
V
DS
=40V
V
DS
=50V
V
DS
=64V
10
100
1000
10000
1
5
9
13
17
21
25
29
V
DS
, Drain-to-Source Voltage (V)
C
f=1.0MHz
C
iss
C
oss
C
rss
0.01
0.00001
0.1
1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t , Pulse Width (s)
N
t
)
P
DM
Duty factor = t/T
Peak T
j
= P
DM
x R
thjc
+ T
C
t
T
0.02
0.01
0.05
0.1
0.2
Duty factor=0.5
Single Pulse
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
1000
V
DS
, Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
(
10us
100us
1ms
10ms
100ms
DC
T
C
=25
o
C
Single Pulse
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AP9980J | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
| AP9980M | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
| AP9985M | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
| AP9T15GH | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| AP9T15GJ | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AP9980J | 制造商:A-POWER 制造商全稱:Advanced Power Electronics Corp. 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
| AP9980M | 制造商:A-POWER 制造商全稱:Advanced Power Electronics Corp. 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
| AP9985GM | 制造商:A-POWER 制造商全稱:Advanced Power Electronics Corp. 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| AP9985M | 制造商:A-POWER 制造商全稱:Advanced Power Electronics Corp. 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
| AP9987GJ | 制造商:A-POWER 制造商全稱:Advanced Power Electronics Corp. 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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