參數(shù)資料
型號(hào)： AP9926TGO
廠商： ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
英文描述： N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
中文描述： N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 80K
代理商： AP9926TGO
Fig 7. Gate Charge Characteristics
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics
Fig 9. Maximum Safe Operating Area
Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance
Fig 11. Switching Time Waveform
Fig 12. Gate Charge Waveform
AP9926TGO
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
V
DS
90%
V
GS
10%
Q
V
G
4.5V
Q
GS
Q
GD
Q
G
Charge
0
3
6
9
12
15
0
5
10
15
20
Q
G
, Total Gate Charge (nC)
V
G
V
DS
=10V
V
DS
=12V
V
DS
=16V
I
D
=6A
10
100
1000
1
5
9
13
17
21
25
29
V
DS
, Drain-to-Source Voltage (V)
C
f=1.0MHz
C
iss
C
oss
C
rss
0.001
0.01
0.1
1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t , Pulse Width (s)
N
t
)
P
DM
Duty factor = t/T
Peak T
j
= P
DM
x R
thja
+ T
a
R
thja
=208
o
C/W
t
T
0.02
0.01
0.05
0.1
0.2
Duty factor=0.5
Single Pulse
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
V
DS
, Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
(
T
A
=25
o
C
Single Pulse
100us
1ms
10ms
100ms
1s
DC
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PDF描述
AP9928GEO N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP9930GM 2N AND 2P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
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