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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AP4224M |
| 廠商： | ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP |
| 英文描述： | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| 中文描述： | N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 4/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 81K |
| 代理商： | AP4224M |
Fig 7. Gate Charge Characteristics
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics
Fig 9. Maximum Safe Operating Area
Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance
Fig 11. Switching Time Waveform
Fig 12. Gate Charge Waveform
AP4224M
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
V
DS
90%
V
GS
10%
Q
V
G
4.5V
Q
GS
Q
GD
Q
G
Charge
0
4
8
12
16
0
10
20
30
40
50
Q
G
, Total Gate Charge (nC)
V
G
V
DS
=15V
V
DS
=20V
V
DS
=24V
I
D
=10A
100
1000
10000
1
5
9
13
17
21
25
29
V
DS
, Drain-to-Source Voltage (V)
C
f=1.0MHz
C
iss
C
oss
C
rss
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
V
DS
, Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
(
T
A
=25
o
C
Single Pulse
1ms
10ms
100ms
1s
DC
0.001
0.01
0.1
1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t , Pulse Width (s)
N
t
)
0.01
0.05
0.1
0.2
Duty factor=0.5
Single Pulse
P
DM
Duty factor = t/T
Peak T
j
= P
DM
x R
thja
+ T
a
R
thja
= 135
℃
/W
t
T
0.02
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AP4226AGM | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| AP4226D | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| AP4226GM | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| AP4226M | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| AP4228GM | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AP4224PP | 功能描述:電氣外殼配件 RoHS:否 制造商:Hammond Manufacturing 產(chǎn)品:Rack Accessories 類型: 面板寬度: 面板高度: 外部寬度: 外部高度: 外部深度: 顏色:Black |
| AP4226AGM | 制造商:A-POWER 制造商全稱:Advanced Power Electronics Corp. 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| AP4226BGM-HF | 制造商:A-POWER 制造商全稱:Advanced Power Electronics Corp. 功能描述:Lower On-resistance, Simple Drive Requirement |
| AP4226D | 制造商:A-POWER 制造商全稱:Advanced Power Electronics Corp. 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| AP4226GM | 制造商:A-POWER 制造商全稱:Advanced Power Electronics Corp. 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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