參數(shù)資料
型號(hào): AP3402GEJ
廠商: ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
元件分類: JFETs
英文描述: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
中文描述: 38 A, 35 V, 0.018 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251
封裝: ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù): 3/4頁(yè)
文件大小: 70K
代理商: AP3402GEJ
AP3402GEH/J
Fig 1. Typical Output Characteristics
Fig 2. Typical Output Characteristics
Fig 3. On-Resistance v.s. Gate Voltage
Fig 4. Normalized On-Resistance
v.s. Junction Temperature
Fig 5. Forward Characteristic of
Reverse Diode
Fig 6. Gate Threshold Voltage v.s.
Junction Temperature
3/4
0.6
0.9
1.2
1.5
-50
0
50
100
150
T
j
, Junction Temperature (
o
C)
N
D
I
D
=25A
V
G
=10V
0
20
40
60
80
100
0
1
2
3
4
5
6
V
DS
, Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
T
C
=25
o
C
10V
7.0V
5.0V
4.5V
V
G
=3.0V
10
20
30
40
50
60
2
4
6
8
10
V
GS
, Gate-to-Source Voltage (V)
R
D
Ω
)
I
D
=20A
T
C
=25
o
C
0
20
40
60
80
0
1
2
3
4
5
6
V
DS
, Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
T
C
=150
o
C
V
G
=3.0V
10V
7.0V
5.0V
4.5V
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
-50
0
50
100
150
T
j
, Junction Temperature (
o
C)
N
G
(
0
5
10
15
20
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
V
SD
, Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
(
T
j
=25
o
C
T
j
=150
o
C
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PDF描述
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