參數(shù)資料
型號(hào)： AP3403H
廠商： ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
英文描述： P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
中文描述： P溝道增強(qiáng)型
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大?。?/td> 83K
代理商： AP3403H
Advanced Power
Electronics Corp.
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
POWER MOSFET
▼
Low Gate Charge
Simple Drive Requirement
Fast Switching
BV
DSS
R
DS(ON)
I
D
-30V
200m
Ω
- 10A
▼
▼
Description
Absolute Maximum Ratings
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25
℃
I
D
@T
A
=70
℃
I
DM
P
D
@T
A
=25
℃
Total Power Dissipation
Linear Derating Factor
Storage Temperature Range
Units
V
V
A
A
A
W
W/
℃
T
STG
T
J
℃
℃
Symbol
Value
3.4
110
Unit
℃
/W
℃
/W
Rthj-case
Rthj-amb
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Junction-ambient
Max.
Max.
Data and specifications subject to change without notice
Thermal Data
Parameter
36.7
0.29
-55 to 150
-55 to 150
Operating Junction Temperature Range
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current
1
-8.6
-48
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current
200505031
AP3403H/J
Rating
- 30
± 20
-10
Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques to
achieve the lowest possible on-resistance, extremely efficient and cost-
effectiveness device.
The TO-252/TO-251 package is universally used for all commercial-
industrial application.
G
D
S
GDS
TO-252(H)
G
DS
TO-251(J)
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