參數(shù)資料
型號(hào)： AO8822
廠商： ALPHA
英文描述： Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field
中文描述： 常見的漏雙N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 122K
代理商： AO8822
AO8822
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
0
10
20
30
0
1
2
3
4
5
V
DS
(Volts)
Figure 1: On-Regions Characteristi
cs
I
D
(
V
GS
=1.5V
V
GS
=2V
3V
4V
10V
0
5
10
15
20
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
GS
(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
I
D
(
25°C
125°C
V
GS
=5V
0
10
20
30
40
50
0
5
10
15
20
I
D(
A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
R
D
(
)
V
GS
=4.5V
V
GS
=2.5V
V
GS
=1.8V
V
GS
=10V
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0
50
100
150
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature
N
V
GS
=4.5V
V
GS
=2.5V
I
D
=5.5A
V
GS
=1.8V
I
D
=2A
I
D
=6.6A
V
GS
=10V
I
D
=7A
10
20
30
40
50
60
70
80
0
2
4
6
8
V
GS
(Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
R
D
(
)
25°C
125°C
I
D
=7A
1E-05
1E-04
1E-03
1E-02
1E-01
1E+00
1E+01
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
SD
(Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
I
S
(
25°C
125°C
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AO8822L Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field
AO8830 Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO8846 Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO9926A Circular Connector; No. of Contacts:8; Series:MS27656; Body Material:Aluminum; Connecting Termination:Crimp; Connector Shell Size:17; Circular Contact Gender:Pin; Circular Shell Style:Wall Mount Receptacle; Insert Arrangement:17-8 RoHS Compliant: No
AO9926B Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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參數(shù)描述
AO8822#A 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-TSSOP 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 N 溝道（雙）共漏 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:7A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:18 毫歐 @ 7A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:18nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:780pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-TSSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
AO8822_11 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:20V Common-Drain Dual N-Channel MOSFET
AO8822L 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field
AO8830 功能描述:MOSFET DUAL N-CH 20V 6A 8-TSSOP RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- FET 型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR
AO8830_10 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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