參數(shù)資料
型號： AO4446
廠商： ALPHA
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大小： 114K
代理商： AO4446
AO4446
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
0
10
20
30
0
1
2
3
4
5
V
DS
(Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
I
D
V
GS
=3.5V
10V
4.0V
5.0V
4.5V
0
10
20
30
40
50
60
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
V
GS
(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
I
D
(
6
8
10
12
14
16
0
5
10
15
20
25
30
I
D
(A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate
Voltage
R
D
)
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
1.0E+00
1.0E+01
1.0E+02
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
(Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
I
S
25°C
125°C
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
0
25
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature
N
V
GS
=10V
I
D
=15A
V
GS
=4.5V
I
D
=11A
4
8
12
16
20
2
4
6
8
10
V
GS
(Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
R
D
)
25°C
125°C
V
DS
=5V
V
GS
=4.5V
V
GS
=10V
I
D
=15A
25°C
125°C
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
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PDF描述
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