參數(shù)資料
型號： AO4447
廠商： ALPHA
元件分類： MOSFETs
英文描述： P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 的P -溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 1/7頁
文件大小： 595K
代理商： AO4447
Symbol
V
DS
V
GS
I
DM
T
J
, T
STG
Symbol
Typ
26
50
14
Max
40
75
24
R
θ
JL
Junction and Storage Temperature Range
A
P
D
°C
3.1
2
-55 to 150
T
A
=70°C
I
D
-15
-13.6
-60
Pulsed Drain Current
B
Power Dissipation
A
T
A
=25°C
Continuous Drain
Current
A
Maximum
-30
Units
V
V
Parameter
Drain-Source Voltage
T
A
=25°C
T
A
=70°C
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
±20
Gate-Source Voltage
°C/W
°C/W
°C/W
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Lead
C
Steady-State
Steady-State
W
Thermal Characteristics
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
A
Units
t
≤
10s
R
θ
JA
AO4447
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Features
V
DS
(V) = -30V
I
D
= -15 A (V
GS
= -10V)
Max R
DS(ON)
< 7.5m
Ω
(V
GS
= -10V)
Max R
DS(ON)
< 12m
Ω
(V
GS
= -4V)
ESD Rating: 4KV HBM
General Description
The AO4447 uses advanced trench technology to
provide excellent R
DS(ON)
, and ultra-low low gate
charge. This device is suitable for use as a load
switch. The device is ESD protected.
Standard
Product AO4447 is Pb-free (meets ROHS & Sony
259 specifications). AO4447L is a Green Product
ordering option. AO4447 and AO4447L are
electrically identical.
SOIC-8
Top View
G
S
S
S
D
D
D
D
D
S
G
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
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PDF描述
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