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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AGR26045EU |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 5/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 249K |
| 代理商： | AGR26045EU |
4
Agere Systems Inc.
45 W, 2.535 GHz—2.655 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
May 2004
AGR26045E
Preliminary Data Sheet
Typical Performance Characteristics
Figure 3. Series Equivalent Input and Output Impedances
MHz (f)
ZS
(complex source impedance)
ZL
(complex optimum load impedance)
2500 (f1)
13.4 – j9.0
7.2 – j7.1
2550 (f2)
12.8 – j9.3
6.7 – j7.1
2600 (f3)
12.2 – j9.5
6.2 – j6.5
2650 (f4)
11.6 – j9.6
5.7 – j5.9
2700 (f5)
11.1 – j9.7
5.4 – j5.4
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0
.8
0.8
0
.9
0.9
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
3.0
4.0
5.0
10
20
50
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
-20
-30
-40
-50
-60
-70
-80
-90
-100
-110
-120
-130
-140
-150
-160
170
-170
180
±
90
-90
-8
5
-80
-75
-70
-65
-60
-55
-50
-45
-40
-35
-30
-25
-20
-15
-10
0.0
4
0.05
0.0
6
0.0
7
0.0
8
0.09
0.1
0.11
0.12
0.13
0.14
0.15
0.16
0.1
7
0.1
8
0.1
9
0.2
1
0.2
2
0.23
0.24
0.25
0.26
0.27
0.2
8
0.2
9
0.3
1
0.3
2
0.3
3
0.34
0.35
0.36
0.37
0.38
0.39
0.4
0.41
0.42
0.43
0.4
4
0.45
0.4
6
0.4
7
0.48
0.49
0.0
A
N
G
L
E
O
F
T
R
A
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SM
IS
SI
O
N
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E
SU
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E
P
T
A
N
C
E
(-
jB
/
Y
o)
RESISTANCE COMPONENT (R/Zo), OR CONDUCTANCE COMPONENT (G/Yo)
F
ZS
f5
f1
ZL
f5
f1
Z0 = 25
DUT
ZS
ZL
INPUT MATCH
OUTPUT MATCH
DRAIN (1)
SOURCE (3)
GATE (2)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AGT-8235R | 2000 MHz - 8000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER |
| AGT-8235 | 2000 MHz - 8000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER |
| AGT-8235R | 2000 MHz - 8000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER |
| AGT-8235R | 2000 MHz - 8000 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER |
| AH101 | 50 MHz - 1500 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AGR26125E | 制造商:TRIQUINT 制造商全稱:TriQuint Semiconductor 功能描述:125 W, 2.5 GHz-2.7 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET |
| AGR26125EF | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| AGR26125EU | 制造商:TRIQUINT 制造商全稱:TriQuint Semiconductor 功能描述:125 W, 2.5 GHz-2.7 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET |
| AGR26180EF | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| AGR34006827 | 制造商:LG Corporation 功能描述:Pipe Assembly,Telescopic |
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