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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | A43E26161G-95U |
| 廠商： | AMIC Technology Corporation |
| 英文描述： | 1M X 16 BIT X 4 BANKS LOW POWER SYNCHRONOUS DRAM |
| 中文描述： | 100萬× 16位× 4個(gè)銀行低功耗同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 8/44頁 |
| 文件大?。?/td> | 1123K |
| 代理商： | A43E26161G-95U |
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A43E26161
(December, 2004, Version 1.0)
7
AMIC Technology, Corp.
Operating AC Parameter
(AC operating conditions unless otherwise noted)
Version
Symbol
Parameter
-95
Unit
Note
t
RRD(min)
Row active to row active delay
19
ns
1
t
RCD(min)
RAS to
CAS
delay
28.5
ns
1
t
RP(min)
Row precharge time
28.5
ns
1
t
RAS(min)
57
ns
1
t
RAS(max)
Row active time
100K
μ
s
t
RC(min)
Row cycle time
85.5
ns
1
t
CDL(min)
Last data in new col. Address delay
8.5
ns
2
t
RDL(min)
Last data in row precharge
19
ns
2
t
BDL(min)
Last data in to burst stop
9.5
ns
2
t
CCD(min)
Col. Address to col. Address delay
9.5
ns
Note:
1. The minimum number of clock cycles is determined by dividing the minimum time required with clock cycle time and
then rounding off to the next higher integer.
2. Minimum delay is required to complete write.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| A43E26161G-95UF | 1M X 16 BIT X 4 BANKS LOW POWER SYNCHRONOUS DRAM |
| A43E26161V-95 | 1M X 16 BIT X 4 BANKS LOW POWER SYNCHRONOUS DRAM |
| A43E26161V-95F | 1M X 16 BIT X 4 BANKS LOW POWER SYNCHRONOUS DRAM |
| A43E26161V-95UF | 1M X 16 BIT X 4 BANKS LOW POWER SYNCHRONOUS DRAM |
| A43L0616A | 512K X 16 Bit X 2 Banks Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| A43E26161G-95UF | 制造商:AMICC 制造商全稱:AMIC Technology 功能描述:1M X 16 BIT X 4 BANKS LOW POWER SYNCHRONOUS DRAM |
| A43E26161V-95 | 制造商:AMICC 制造商全稱:AMIC Technology 功能描述:1M X 16 BIT X 4 BANKS LOW POWER SYNCHRONOUS DRAM |
| A43E26161V-95F | 制造商:AMICC 制造商全稱:AMIC Technology 功能描述:1M X 16 BIT X 4 BANKS LOW POWER SYNCHRONOUS DRAM |
| A43E26161V-95U | 制造商:AMICC 制造商全稱:AMIC Technology 功能描述:1M X 16 BIT X 4 BANKS LOW POWER SYNCHRONOUS DRAM |
| A43E26161V-95UF | 制造商:AMICC 制造商全稱:AMIC Technology 功能描述:1M X 16 BIT X 4 BANKS LOW POWER SYNCHRONOUS DRAM |
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