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APTM50AM38SCTG

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
  • APTM50AM38SCTG
    APTM50AM38SCTG

    APTM50AM38SCTG

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯(lián)系人:張小姐/Vivianvi

    電話:0755-83276452

    地址:坂田坂雪崗大道中興路105號儒駿大廈5樓503室

  • 9900

  • Microchip Technology

  • SP4

  • 23+

  • -
  • 微芯專營優(yōu)勢產(chǎn)品

  • APTM50AM38SCTG
    APTM50AM38SCTG

    APTM50AM38SCTG

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯(lián)系人:朱先生

    電話:0755-82999903

    地址:深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3

  • 1000

  • MICROCHIP

  • 19+

  • -
  • 瑞智芯 只有原裝

  • 1/1頁 40條/頁 共8條 
  • 1
APTM50AM38SCTG PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET MOD PHASE LEG SER/SIC SP4
  • RoHS
  • 類別
  • 半導(dǎo)體模塊 >> FET
  • 系列
  • -
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 10
  • 系列
  • *
APTM50AM38SCTG 技術(shù)參數(shù)
  • APTM50AM38FTG 功能描述:MOSFET 2N-CH 500V 90A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 通道(半橋) FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):90A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):45 毫歐 @ 45A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):246nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):11200pF @ 25V 功率 - 最大值:694W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP4 供應(yīng)商器件封裝:SP4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM50AM35FTG 功能描述:MOSFET 2N-CH 500V 99A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 通道(半橋) FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):99A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):39 毫歐 @ 49.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):280nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):14000pF @ 25V 功率 - 最大值:781W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP4 供應(yīng)商器件封裝:SP4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM50AM25FTG 功能描述:MOSFET 2N-CH 500V 149A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:2 個(gè) N 通道(半橋) FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):149A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):25 毫歐 @ 74.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 8mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):1200nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):29600pF @ 25V 功率 - 最大值:1250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP4 供應(yīng)商器件封裝:SP4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM50AM24SG 功能描述:MOSFET 2N-CH 500V 150A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 通道(半橋) FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):150A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):28 毫歐 @ 75A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 6mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):434nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):19600pF @ 25V 功率 - 最大值:1250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM50AM24SCG 功能描述:MOSFET 2N-CH 500V 150A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 通道(半橋) FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):150A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):28 毫歐 @ 75A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 6mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):434nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):19600pF @ 25V 功率 - 最大值:1250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM50DHM35G APTM50DHM38G APTM50DHM65T3G APTM50DHM65TG APTM50DHM75TG APTM50DSK10T3G APTM50DSKM65T3G APTM50DUM17G APTM50DUM19G APTM50DUM25TG APTM50DUM35TG APTM50DUM38TG APTM50H10FT3G APTM50H14FT3G APTM50H15FT1G APTM50HM35FG APTM50HM38FG APTM50HM65FT3G
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