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APTGF180DH60G
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
聯(lián)系人：廖小姐
電話：13410012158
地址：廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北上航大廈西座四層
5000
Microsemi
SP6
11+
-
100%進(jìn)口原裝正品，只做原裝

APTGF180DH60G
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
3000
Microsemi
IGBT
2010+
-
全新原裝100%正品保證質(zhì)量

APTGF180DH60G
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
3000
Microsemi
IGBT
2010+
-

APTGF180DH60G
林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
聯(lián)系人：岳先生田小姐
電話：0755-8278116013760181591
地址：深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號南光捷佳大廈2906
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
60510
Microsemi Corporation
POWER MODULE IGBT 60
22+
-

APTGF180DH60G
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
70
MICROSEMI
1521+
-
全新原裝現(xiàn)貨

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功能描述
POWER MODULE IGBT 600V 180A SP6
RoHS
是
類別
半導(dǎo)體模塊 >> IGBT
系列
-
標(biāo)準(zhǔn)包裝
10
系列
GenX3™
IGBT 類型
PT
配置
單一
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
600V
Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）
1.4V @ 15V，100A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
430A
電流 - 集電極截止（最大）
100µA
Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies)
31nF @ 25V
功率 - 最大
1000W
輸入
標(biāo)準(zhǔn)
NTC 熱敏電阻
無
安裝類型
底座安裝
封裝/外殼
SOT-227-4，miniBLOC
供應(yīng)商設(shè)備封裝
SOT-227B

APTGF180DH60G 技術(shù)參數(shù)

APTGF180DA60TG 功能描述:IGBT Module NPT Single 600V 220A 833W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:NPT 配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:220A 功率 - 最大值:833W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.5V @ 15V，180A 電流 - 集電極截止（最大值）:300μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:8.6nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP4 供應(yīng)商器件封裝:SP4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGF180A60TG 功能描述:IGBT Module NPT Half Bridge 600V 220A 833W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:NPT 配置:半橋電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:220A 功率 - 最大值:833W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.5V @ 15V，180A 電流 - 集電極截止（最大值）:300μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:8.6nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP4 供應(yīng)商器件封裝:SP4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGF165SK60D1G 功能描述:IGBT Module NPT Single 600V 230A 730W Chassis Mount D1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):過期 IGBT 類型:NPT 配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:230A 功率 - 最大值:730W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.5V @ 15V，200A 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:9nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:D1 供應(yīng)商器件封裝:D1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGF165DA60D1G 功能描述:IGBT Module NPT Single 600V 230A 730W Chassis Mount D1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):過期 IGBT 類型:NPT 配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:230A 功率 - 最大值:730W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.5V @ 15V，200A 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:9nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:D1 供應(yīng)商器件封裝:D1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGF165A60D1G 功能描述:IGBT Module NPT Half Bridge 600V 230A 781W Chassis Mount D1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):過期 IGBT 類型:NPT 配置:半橋電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:230A 功率 - 最大值:781W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.45V @ 15V，200A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:9nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:D1 供應(yīng)商器件封裝:D1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGF250SK60D3G APTGF25A120T1G APTGF25DDA120T3G APTGF25DSK120T3G APTGF25H120T1G APTGF25H120T2G APTGF25H120T3G APTGF25X120T3G APTGF300A120D3G APTGF300A120G APTGF300DA120D3G APTGF300DA120G APTGF300DU120G APTGF300SK120D3G APTGF300SK120G APTGF300U120DG APTGF30A60T1G APTGF30H60T1G