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APTGF25H120T1G

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • APTGF25H120T1G
    APTGF25H120T1G

    APTGF25H120T1G

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi

    電話：0755-83276452

    地址：坂田坂雪崗大道中興路105號儒駿大廈5樓503室

  • 9900

  • Microchip Technology

  • SP1

  • 23+

  • -

  • 微芯專營優(yōu)勢產品

  • APTGF25H120T1G
    APTGF25H120T1G

    APTGF25H120T1G

  • 林沃田信息技術(深圳)有限公司
    林沃田信息技術(深圳)有限公司

    聯(lián)系人：岳先生 田小姐

    電話：0755-8278116013760181591

    地址：深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號南光捷佳大廈2906

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 60510

  • Microsemi Corporation

  • POWER MOD IGBT NPT F

  • 22+

  • -

  • APTGF25H120T1G
    APTGF25H120T1G

    APTGF25H120T1G

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • MICROSEMI

  • 1521+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • 1/1頁 40條/頁 共17條 
  • 1
APTGF25H120T1G PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • POWER MOD IGBT NPT FULL BRDG SP1
  • RoHS
  • 是
  • 類別
  • 半導體模塊 >> IGBT
  • 系列
  • -
  • 標準包裝
  • 10
  • 系列
  • GenX3™
  • IGBT 類型
  • PT
  • 配置
  • 單一
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
  • 600V
  • Vge, Ic時的最大Vce（開）
  • 1.4V @ 15V，100A
  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大）
  • 430A
  • 電流 - 集電極截止（最大）
  • 100µA
  • Vce 時的輸入電容 (Cies)
  • 31nF @ 25V
  • 功率 - 最大
  • 1000W
  • 輸入
  • 標準
  • NTC 熱敏電阻
  • 無
  • 安裝類型
  • 底座安裝
  • 封裝/外殼
  • SOT-227-4，miniBLOC
  • 供應商設備封裝
  • SOT-227B
APTGF25H120T1G 技術參數(shù)
  • APTGF25DSK120T3G 功能描述:IGBT Module NPT Dual Buck Chopper 1200V 40A 208W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:NPT 配置:雙路降壓斬波器 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:40A 功率 - 最大值:208W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.7V @ 15V，25A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:1.65nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTGF25DDA120T3G 功能描述:IGBT Module NPT Dual Boost Chopper 1200V 40A 208W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:NPT 配置:雙路升壓斬波器 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:40A 功率 - 最大值:208W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.7V @ 15V，25A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:1.65nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTGF25A120T1G 功能描述:IGBT Module NPT Half Bridge 1200V 40A 208W Chassis Mount SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):過期 IGBT 類型:NPT 配置:半橋 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:40A 功率 - 最大值:208W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.7V @ 15V，25A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:1.65nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTGF250SK60D3G 功能描述:IGBT Module NPT Single 600V 400A 1250W Chassis Mount D3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:NPT 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:400A 功率 - 最大值:1250W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.45V @ 15V，300A 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:13nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:D-3 模塊 供應商器件封裝:D3 標準包裝:1 APTGF250DA60D3G 功能描述:IGBT Module NPT Single 600V 400A 1250W Chassis Mount D3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:NPT 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:400A 功率 - 最大值:1250W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.45V @ 15V，300A 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:13nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:D-3 模塊 供應商器件封裝:D3 標準包裝:1 APTGF300SK120G APTGF300U120DG APTGF30A60T1G APTGF30H60T1G APTGF30H60T3G APTGF30TL601G APTGF30X60T3G APTGF330A60D3G APTGF330DA60D3G APTGF330SK60D3G APTGF350A60G APTGF350DA60G APTGF350DU60G APTGF350SK60G APTGF360U60D4G APTGF400U120D4G APTGF500U60D4G APTGF50A120T1G
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