APTGF50A60T1G

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封裝
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說明
操作

APTGF50A60T1G
林沃田信息技術(深圳)有限公司
林沃田信息技術(深圳)有限公司
聯(lián)系人：岳先生田小姐
電話：0755-8278116013760181591
地址：深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號南光捷佳大廈2906
資質：營業(yè)執(zhí)照
60510
Microsemi Corporation
IGBT MODULE NPT PHAS
22+
-

APTGF50A60T1G
深圳市一線半導體有限公司
深圳市一線半導體有限公司
聯(lián)系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐
電話：0755-88608801多線17727932378
地址：深圳市福田區(qū)華強北華強花園B9F
11630
Microsemi
原廠原裝
18+
-
原裝正品，優(yōu)勢供應

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功能描述
IGBT MODULE NPT PHASE LEG SP1
RoHS
是
類別
半導體模塊 >> IGBT
系列
-
標準包裝
10
系列
GenX3™
IGBT 類型
PT
配置
單一
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
600V
Vge, Ic時的最大Vce（開）
1.4V @ 15V，100A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
430A
電流 - 集電極截止（最大）
100µA
Vce 時的輸入電容 (Cies)
31nF @ 25V
功率 - 最大
1000W
輸入
標準
NTC 熱敏電阻
無
安裝類型
底座安裝
封裝/外殼
SOT-227-4，miniBLOC
供應商設備封裝
SOT-227B

APTGF50A60T1G 技術參數

APTGF50A120TG 功能描述:IGBT Module NPT Half Bridge 1200V 75A 312W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):停產 IGBT 類型:NPT 配置:半橋電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:75A 功率 - 最大值:312W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.7V @ 15V，50A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:3.45nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTGF50A120T1G 功能描述:IGBT Module NPT Half Bridge 1200V 75A 312W Chassis Mount SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:NPT 配置:半橋電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:75A 功率 - 最大值:312W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.7V @ 15V，50A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:3.45nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTGF500U60D4G 功能描述:IGBT Module NPT Single 600V 625A 2000W Chassis Mount D4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:NPT 配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:625A 功率 - 最大值:2000W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.45V @ 15V，500A 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:26nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:D4 供應商器件封裝:D4 標準包裝:1 APTGF400U120D4G 功能描述:IGBT Module NPT Single 1200V 510A 2500W Chassis Mount D4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):過期 IGBT 類型:NPT 配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:510A 功率 - 最大值:2500W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.7V @ 15V，400A 電流 - 集電極截止（最大值）:5mA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:26nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:D4 供應商器件封裝:D4 標準包裝:1 APTGF360U60D4G 功能描述:IGBT Module NPT Single 600V 450A 1560W Chassis Mount D4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:NPT 配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:450A 功率 - 最大值:1560W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.45V @ 15V，360A 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:17nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:D4 供應商器件封裝:D4 標準包裝:1 APTGF50DSK60T3G APTGF50DU120TG APTGF50H120TG APTGF50H60T1G APTGF50H60T2G APTGF50H60T3G APTGF50SK120T1G APTGF50SK120TG APTGF50TA120PG APTGF50TDU120PG APTGF50TL60T3G APTGF50VDA120T3G APTGF50VDA60T3G APTGF50X60T3G APTGF530U120D4G APTGF660U60D4G APTGF75DA120T1G APTGF75DA60D1G