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AOWF2606

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
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  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
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  • 說明
  • 操作
  • AOWF2606
    AOWF2606

    AOWF2606

  • 深圳市深美諾電子科技有限公司
    深圳市深美諾電子科技有限公司

    聯(lián)系人:李燕兵

    電話:82525918

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路上步工業(yè)區(qū)101棟5樓517-532室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • AOS

  • TO262F

  • 22+

  • -
  • 全新原裝現(xiàn)貨供應(yīng)

  • AOWF2606
    AOWF2606

    AOWF2606

  • 深圳市桂鵬科技有限公司
    深圳市桂鵬科技有限公司

    聯(lián)系人:田小姐/高先生/李小姐

    電話:0755-828102988281039882810298

    地址:深圳市羅湖區(qū)寶安南路國都大廈-國麗15D(地王大廈周邊)

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 82810298

  • AO/萬代

  • TO-262F

  • 15+

  • -
  • 深圳現(xiàn)貨★原廠品質(zhì)★提供PCB板配單業(yè)務(wù)

  • 1/1頁 40條/頁 共25條 
  • 1
AOWF2606 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 制造商
  • Alpha & Omega Semiconductor
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 60V 13A TO262F
AOWF2606 技術(shù)參數(shù)
  • AOWF25S65 功能描述:MOSFET N-CH 650V 25A TO262F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):25A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):190 毫歐 @ 12.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):26.4nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1278pF @ 100V 功率 - 最大值:28W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 AOWF240 功能描述:MOSFET N-CH 40V 21A TO262F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):21A(Ta),83A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):2.6 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):72nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):3510pF @ 20V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 AOWF20S60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO262F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):20A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):199 毫歐 @ 10A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):19.8nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1038pF @ 100V 功率 - 最大值:28W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 AOWF15S65 功能描述:MOSFET N-CH 650V 15A TO262F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):15A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):290 毫歐 @ 7.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):17.2nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):841pF @ 100V 功率 - 最大值:28W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 AOWF15S60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 15A TO262F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):15A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):290 毫歐 @ 7.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3.8V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):15.6nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):717pF @ 100V 功率 - 最大值:27.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 AOY2N60 AOY4158P AOY423 AOY514 AOY516 AOY526 AOY528 AOZ1012DI AOZ1014AI AOZ1014DI AOZ1015AI AOZ1016AI AOZ1016AIL AOZ1017AI AOZ1019AI AOZ1020AI AOZ1020AIL AOZ1021AI
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