AOWF15S65

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說明
操作

AOWF15S65
深圳市百域芯科技有限公司
深圳市百域芯科技有限公司
聯(lián)系人：雷小姐
電話：0755-82788062
地址：華強(qiáng)北都會軒4507
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
30000
AOS/萬代
TO-262F
24+
-
原裝正品，可含稅供應(yīng)。品質(zhì)保障

AOWF15S65
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
AOS
TO-262F
最新批號
-
一級代理.原裝特價現(xiàn)貨！

AOWF15S65
深圳市貿(mào)盛微電子有限公司
深圳市貿(mào)盛微電子有限公司
聯(lián)系人：周先生
電話：0755-8220875218127068687
地址：深圳市羅湖區(qū)嘉賓路友誼大廈五棟3樓G
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
30000
AOS
TO262F
NA
-
原裝現(xiàn)貨

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功能描述
MOSFET N-CH 650V 15A TO262F
RoHS
是
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列
aMOS™
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1,000
系列
MESH OVERLAY™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
18A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
180 毫歐 @ 9A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
72nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1560pF @ 25V
功率 - 最大
40W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝
TO-220FP
包裝
管件

AOWF15S65 技術(shù)參數(shù)

AOWF15S60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 15A TO262F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:15A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:290 毫歐 @ 7.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.8V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:15.6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:717pF @ 100V 功率 - 最大值:27.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 AOWF14N50 功能描述:MOSFET N-CH 500V 14A TO262F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:14A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:380 毫歐 @ 7A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:51nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2297pF @ 25V 功率 - 最大值:28W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 AOWF12T60P 功能描述:MOSFET N-CH 600V 12A TO262F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:12A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:520 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:50nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2028pF @ 100V 功率 - 最大值:28W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-262-3 整包，I2Pak 供應(yīng)商器件封裝:TO-262F 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 AOWF12T60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 12A TO262F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:12A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:50nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1954pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:28W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:520 毫歐 @ 6A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-262F 封裝/外殼:TO-262-3 整包，I2Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 AOWF12N65 功能描述:MOSFET N-CH 650V 12A TO262F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:12A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:720 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:48nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2150pF @ 25V 功率 - 最大值:28W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 AOWF7S65 AOWF8N50 AOWF9N70 AOY2610E AOY2N60 AOY4158P AOY423 AOY514 AOY516 AOY526 AOY528 AOZ1012DI AOZ1014AI AOZ1014DI AOZ1015AI AOZ1016AI AOZ1016AIL AOZ1017AI