AOY2610E

配單專家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說(shuō)明
操作

AOY2610E
無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
聯(lián)系人：劉小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無(wú)錫市新區(qū)新梅路68號(hào)
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
1000
isc/固電半導(dǎo)體
IPAK/TO-251
24+
-
國(guó)產(chǎn)品牌，替代進(jìn)口

AOY2610E
深圳市科宏特電子有限公司
深圳市科宏特電子有限公司
聯(lián)系人：李瑞兵
電話：18897698645
地址：深圳市福田區(qū)深南中路華強(qiáng)電子世界三店佳和4C148
36000000
AOS
22+
-
原裝正品

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功能描述
MOSFET N-CHANNEL 60V 19A TO251B
制造商
alpha & omega semiconductor inc.
系列
AlphaSGT?
包裝
管件
零件狀態(tài)
在售
FET 類型
N 溝道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
60V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
19A（Ta）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
2.4V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）
13nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）
1100pF @ 30V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
59.5W（Tc）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
9.5 毫歐 @ 20A，10V
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應(yīng)商器件封裝
TO-251B
封裝/外殼
TO-251-3 短截引線，IPak
標(biāo)準(zhǔn)包裝
3,500

AOY2610E 技術(shù)參數(shù)

AOWF9N70 功能描述:MOSFET N-CH 700V 9A TO262F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:700V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:9A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.2 歐姆 @ 4.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:35nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1630pF @ 25V 功率 - 最大值:28W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-262-3，長(zhǎng)引線，I2Pak，TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 AOWF8N50 功能描述:MOSFET N-CH 500V 8A TO262F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:8A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:850 毫歐 @ 4A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:28nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1042pF @ 25V 功率 - 最大值:27.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-262-3，長(zhǎng)引線，I2Pak，TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:TO-262F 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 AOWF7S65 功能描述:MOSFET N-CH 650V 7A TO262F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:7A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:650 毫歐 @ 3.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:9.2nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:434pF @ 100V 功率 - 最大值:25W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-262-3，長(zhǎng)引線，I2Pak，TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 AOWF7S60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 7A TO262F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:7A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:600 毫歐 @ 3.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:8.2nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:372pF @ 100V 功率 - 最大值:25W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-262-3，長(zhǎng)引線，I2Pak，TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 AOWF4S60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 4A TO262F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:4A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:900 毫歐 @ 2A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:6nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:263pF @ 100V 功率 - 最大值:25W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-262-3，長(zhǎng)引線，I2Pak，TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 AOZ1014DI AOZ1015AI AOZ1016AI AOZ1016AIL AOZ1017AI AOZ1019AI AOZ1020AI AOZ1020AIL AOZ1021AI AOZ1021AIL AOZ1021HAIL_2 AOZ1022DI AOZ1022DI-01 AOZ1022PI AOZ1024DI AOZ1024DI_2 AOZ1024DI_5 AOZ1024DI_6