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AOW11S60

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
  • AOW11S60
    AOW11S60

    AOW11S60

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    聯(lián)系人:賴先生

    電話:0755-8394638513632637322

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路2070號(hào)電子科技大廈A座27樓2702號(hào)

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 300000

  • YXYBDT臺(tái)灣

  • TO-262

  • 2024+

  • -
  • 代理臺(tái)灣YXYBDT.現(xiàn)貨

  • AOW11S60
    AOW11S60

    AOW11S60

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號(hào))

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • AOS

  • TO-262F

  • 最新批號(hào)

  • -
  • 一級(jí)代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨!

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共29條 
  • 1
AOW11S60 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 600V 11A TO262
  • RoHS
  • 類別
  • 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
  • 系列
  • -
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1,000
  • 系列
  • MESH OVERLAY™
  • FET 型
  • MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)
  • 邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)
  • 200V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
  • 18A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
  • 180 毫歐 @ 9A,10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大)
  • 4V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs
  • 72nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds
  • 1560pF @ 25V
  • 功率 - 最大
  • 40W
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • TO-220-3 整包
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝
  • TO-220FP
  • 包裝
  • 管件
AOW11S60 技術(shù)參數(shù)
  • AOW11N60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO262 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):11A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):700 毫歐 @ 5.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):37nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1990pF @ 25V 功率 - 最大值:272W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3,長(zhǎng)引線,I2Pak,TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:TO-262 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 AOW10T60P 功能描述:MOSFET N-CH 600V 10A 5DFB 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):10A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):700毫歐 @ 5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):40nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1595pF @ 100V 功率 - 最大值:208W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3,長(zhǎng)引線,I2Pak,TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:TO-262 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 AOW10T60 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 600V 10A TO262 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):10A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):35nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):1346pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散(最大值):208W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):700毫歐 @ 5A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-262 封裝/外殼:TO-262-3,長(zhǎng)引線,I2Pak,TO-262AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 AOW10N65 功能描述:MOSFET N-CH 650V 10A TO262 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):10A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1 歐姆 @ 5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):33nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1645pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3,長(zhǎng)引線,I2Pak,TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:TO-262 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 AOW10N60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO262 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):10A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):750 毫歐 @ 5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):40nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1600pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3,長(zhǎng)引線,I2Pak,TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:TO-262 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 AOW2500 AOW2502 AOW25S65 AOW284 AOW290 AOW2918 AOW292 AOW296 AOW298 AOW29S50 AOW418 AOW-4542P-B-R AOW-4544L-C3310-B-R AOW-4544P-C3310-B-R AOW480 AOW482 AOW4S60 AOW7S60
配單專家
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