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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK435 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel Junction FET |
| 中文描述： | 硅N溝道結場效應管 |
| 文件頁數(shù)： | 4/7頁 |
| 文件大小： | 31K |
| 代理商： | 2SK435 |
2SK435
4
F
y
f
Forwaed Transfer Admittance
vs. Gate to Source Voltage
Gate to Source Voltage V
GS
(V)
50
40
30
20
10
0
–1.25
–1.0
–0.5
–0.25
0
–0.75
V
= 5 V
f = 1 kHz
Gate Cutoff Current
vs. Gate to Source Voltage
Gate to Source Voltage V
GS
(V)
G
G
1,000
100
10
1.0
0.1
0
–10
–30
–50
–20
–40
V
DS
= 0
Input Capacitance vs.
Drain to Source Voltage
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
I
i
100
50
20
10
5
2
1
0.1
0.5
2
10
0.2
1.0
5
f = 1 MHz
V
GS
= 0
Reverse Transfer Capacitance
vs. Drain to Source Voltage
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
R
r
f = 1 MHz
V
GS
= 0
100
50
20
10
5
2
1
0.1
0.2
1.0
5
10
0.5
2
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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