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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK435 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel Junction FET |
| 中文描述： | 硅N溝道結(jié)場效應(yīng)管 |
| 文件頁數(shù)： | 3/7頁 |
| 文件大小： | 31K |
| 代理商： | 2SK435 |
2SK435
3
Maximum Channel Dissipation Curve
Ambient Temperature Ta (
°
C)
C
c
400
300
200
100
0
50
100
200
150
Typical Output Characteristics
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
D
D
20
16
12
8
4
0
2
6
8
10
4
V
GS
= 0V
–0.1
–0.2
–0.3
–0.4
–0.5
–0.6
Typical Transfer Characteristics
Gate to Source Voltage V
GS
(V)
D
D
20
16
12
8
4
0
–1.25
–1.0
–0.5
–0.25
0
–0.75
V
DS
= 5 V
Forward Transfer Admittance
vs. Drain Current
Drain Current I
D
(mA)
F
y
f
V
= 5 V
f = 1 kHz
100
10
1.0
0.1
0.1
1.0
10
100
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK439 | Silicon N-Channel MOS FET |
| 2SK443 | Aluminum Electrolytic Radial Lead High Ripple, Long Life Capacitor; Capacitance: 150uF; Voltage: 160V; Case Size: 16x20 mm; Packaging: Bulk |
| 2SK444 | Video Camera Applications |
| 2SK494 | Silicon N-Channel Junction FET |
| 2SK522 | Silicon N-Channel Junction FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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