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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK3673-01MR |
| 廠商： | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
| 中文描述： | 10 A, 700 V, 1.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封裝： | TO-220F, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 123K |
| 代理商： | 2SK3673-01MR |
2
Characteristics
2SK3673-01MR
FUJI POWER MOSFET
0
25
50
75
100
125
150
0
20
40
60
80
100
120
Allowable Power Dissipation
PD=f(Tc)
P
Tc [
°
C]
0
5
10
15
20
25
0
4
8
12
16
20V
7.0V
10V
8.0V
6.5V
6.0V
I
VDS [V]
Typical Output Characteristics
ID=f(VDS):80
μ
s pulse test,Tch=25
°
C
VGS=5.5V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.1
1
10
I
VGS[V]
Typical Transfer Characteristic
ID=f(VGS):80
μ
s pulse test,VDS=25V,Tch=25
°
C
0.1
1
10
1
10
100
g
ID [A]
Typical Transconductance
gfs=f(ID):80
μ
s pulse test,VDS=25V,Tch=25
°
C
0
4
8
12
16
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
7.0V
6.5V
R
ID [A]
Typical Drain-Source on-state Resistance
RDS(on)=f(ID):80
μ
s pulse test,Tch=25
°
C
10V
20V
8.0V
6.0V
VGS=5.5V
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
R
Tch [
°
C]
typ.
max.
Drain-Source On-state Resistance
RDS(on)=f(Tch):ID=5A,VGS=10V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3677-01MR | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
| 2SK3679-01MR | STD LQg MOSFET |
| 2SK3679 | Fuji Power MOSFET SuperFAP-G series Target Specification |
| 2SK367 | N CHANNEL JUNCTION TYPE FOR AUDIO, HIGH VOLTAGE AMPLIFIER AND CONSTANT CURRENT APPLICATIONS) |
| 2SK3683 | Fuji Power MOSFET SuperFAP-G series Target Specification |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK3673-01MRSC-P | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
| 2SK3674-01LSC | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
| 2SK3675-01 | 制造商:Fuji Electric 功能描述:MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 900V;RDS(ON) 1.54 Ohms;ID +/-7A;TO-247;PD 195W;VGS +/-30 |
| 2SK3675-01SC | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
| 2SK3677-01MRSC-P | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
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