參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK3608
廠商： FUJI ELECTRIC HOLDINGS CO., LTD.
英文描述： N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
中文描述： N溝道功率MOSFET硅
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 122K
代理商： 2SK3608
3
2SK3608-01L,S,SJ
FUJI POWER MOSFET
VGS=f(Qg):ID=13A, Tch=25°C
IF=f(VSD):80μs Pulse test,Tch=25°C
t=f(ID):Vcc=48V, VGS=10V, RG=10
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
R
Tch [
°
C]
typ.
max.
Drain-Source On-state Resistance
RDS(on)=f(Tch):ID=6.5A,VGS=10V
-50
-25
0
25
50
Tch [
°
C]
75
100
125
150
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
max.
min.
Gate Threshold Voltage vs. Tch
VGS(th)=f(Tch):VDS=VGS,ID=250
μ
A
V
0
10
20
30
40
0
2
4
6
8
10
12
14
Qg [nC]
Typical Gate Charge Characteristics
Vcc= 100V
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
C
VDS [V]
Typical Capacitance
C=f(VDS):VGS=0V,f=1MHz
Crss
Coss
Ciss
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
VSD [V]
1.25
1.50
1.75
2.00
0.1
1
10
100
I
Typical Forward Characteristics of Reverse Diode
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
0
10
1
10
2
10
3
Typical Switching Characteristics vs. ID
td(on)
tr
tf
td(off)
t
ID [A]
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SK3608-01L N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
2SK3608-S N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
2SK3608-SJ N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
2SK3611 N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
2SK3611-01MR N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SK3608-01LSC 制造商:Fuji Electric 功能描述:
2SK360IGETL 制造商:Hitachi 功能描述:VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET
2SK3610-01SC 制造商:Fuji Electric 功能描述:
2SK3611-01MRSC 制造商:Fuji Electric 功能描述:
2SK3614-TD-E 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFET N CH 60V 4A SOT89
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