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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SK3608 |
| 廠商： | FUJI ELECTRIC HOLDINGS CO., LTD. |
| 英文描述： | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
| 中文描述： | N溝道功率MOSFET硅 |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 122K |
| 代理商： | 2SK3608 |
2
Characteristics
2SK3608-01L,S,SJ
FUJI POWER MOSFET
ID=f(VGS):80μs Pulse test, VDS=25V,Tch=25°C
ID=f(VDS):80μs Pulse test,Tch=25°C
gfs=f(ID):80μs Pulse test, VDS=25V,Tch=25°C
RDS(on)=f(ID):80μs Pulse test, Tch=25°C
0
25
50
75
100
125
150
0
10
20
30
40
50
60
70
Allowable Power Dissipation
PD=f(Tc)
P
Tc [
°
C]
0
25
50
starting Tch [
°
C]
75
100
125
150
0
50
100
150
200
250
300
Maximum Avalanche Energy vs. starting Tch
E(AV)=f(starting Tch):Vcc=48V,I(AV)<=13A
0
2
4
6
8
10
12
0
5
10
15
20
25
30
35
40
20V
7.0V
10V
8V
7.5V
6.5V
6.0V
I
VDS [V]
Typical Output Characteristics
VGS=5.5V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.1
1
10
100
I
VGS[V]
Typical Transfer Characteristic
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
g
ID [A]
Typical Transconductance
0
5
10
15
20
ID [A]
25
30
35
40
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
0.25
0.30
0.35
0.40
7.0V
6.5V
R
Typical Drain-Source on-state Resistance
10V
20V
8V
7.5V
6.0V
VGS=
5.5V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3608-01L | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
| 2SK3608-S | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
| 2SK3608-SJ | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
| 2SK3611 | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
| 2SK3611-01MR | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK3608-01LSC | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
| 2SK360IGETL | 制造商:Hitachi 功能描述:VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2SK3610-01SC | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
| 2SK3611-01MRSC | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
| 2SK3614-TD-E | 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFET N CH 60V 4A SOT89 |
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