參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK3562
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (PIE-MOSVI)
中文描述： 東芝場效應(yīng)晶體管硅?頻道馬鞍山類型（喝醉MOSVI）
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大小： 232K
代理商： 2SK3562
2SK3562
2004-07-01
3
DRAIN-SOURCE VOLTAGE V
DS
(V)
I
D
– V
DS
D
D
8
6
4
2
0
10
0
10
20
50
VGS
=
4 V
4.6
4.8
10,15
5
5.2
30
40
4.4
4.2
COMMON SOURCE
Tc
=
25°C
PULSE TEST
DRAIN CURRENT I
D
(A)
R
DS (ON)
– I
D
D
R
D
)
DRAIN CURRENT I
D
(A)
Y
fs
– I
D
F
Y
f
DRAIN-SOURCE VOLTAGE V
DS
(V)
I
D
– V
DS
D
D
5
4
2
1
0
0
2
4
6
8
VGS
=
4 V
4.2
4.4
4.6
5
6
4.8
15
10
3
10
COMMON
SOURCE
Tc
=
25°C
PULSE TEST
GATE-SOURCE VOLTAGE V
GS
(V)
I
D
– V
GS
D
D
D
D
GATE-SOURCE VOLTAGE V
GS
(V)
V
DS
– V
GS
0
4
6
8
10
0
ID
=
6 A
4
8
12
16
20
1.5
3
2
COMMON SOURCE
Tc
=
25
℃
PULSE TEST
COMMON SOURCE
Tc
=
25°C
PULSE TEST
0.1
0.1
1
10
1
10
VGS
=
10 V
15V
COMMON SOURCE
VDS
=
20 V
PULSE TEST
0
0
2
4
6
8
10
2
10
Tc
=
55°C
25
100
4
6
8
COMMON SOURCE
VDS
=
20 V
PULSE TEST
10
0.1
10
100
0.1
1
25
100
Tc
=
55°C
1
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PDF描述
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參數(shù)描述
2SK3562(Q) 功能描述:MOSFET N-Ch 600V 6A Rdson 1.25 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
2SK3562(S4TETV,X,M 制造商:Toshiba 功能描述:TRANSISTOR
2SK3562(STA4,Q) 制造商:Toshiba 功能描述:Nch 600V 6A 1.25@10V TO220SIS Bulk
2SK3562(STA4,Q,M) 制造商:Toshiba 功能描述:TRANSISTOR
2SK3562(STA4,X,S) 制造商:Toshiba 功能描述:TRANSISTOR
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