參數(shù)資料
型號： 2SK3561
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (MOSVI)
中文描述： 東芝場效應晶體管硅?頻道馬鞍山類型（MOSVI）
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 227K
代理商： 2SK3561
2SK3561
2005-01-26
4
R
DS (ON)
– Tc
DRAIN-SOURCE VOLTAGE V
DS
(V)
CAPACITANCE – V
DS
C
COMMON SOURCE
VGS
=
0 V
f
=
1 MHz
Tc
=
25°C
1
10
100
1000
10000
1
10
100
Ciss
Coss
Crss
160
40
0
40
80
120
80
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
ID
=
8 A
2
4
CASE TEMPERATURE Tc (°C)
D
R
D
)
COMMON SOURCE
VGS
=
10 V
PULSE TEST
D
P
D
CASE TEMPERATURE Tc (°C)
P
D
– Tc
60
0
0
40
80
120
160
20
40
I
DR
– V
DS
DRAIN-SOURCE VOLTAGE V
DS
(V)
D
D
(
COMMON SOURCE
Tc
=
25°C
PULSE TEST
0
0.1
0.2
1
10
100
0.4
0.6
0.8
VGS
=
0,
1 V
10
3
1
5
1.0
1.2
TOTAL GATE CHARGE Q
g
(nC)
G
G
DYNAMIC INPUT / OUTPUT
CHARACTERISTICS
D
D
COMMON SOURCE
ID
=
8 A
Tc
=
25°C
PULSE TEST
0
10
20
VDD
=
100 V
VDS
VGS
400
200
30
50
40
500
400
300
200
100
0
20
16
12
8
4
0
V
th
– Tc
G
V
t
CASE TEMPERATURE Tc (°C)
0
80
1
2
3
5
40
0
40
80
120
160
4
COMMON SOURCE
VDS
=
10 V
ID
=
1 mA
PULSE TEST
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PDF描述
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