參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK3561
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (MOSVI)
中文描述： 東芝場(chǎng)效應(yīng)晶體管硅?頻道馬鞍山類型（MOSVI）
文件頁(yè)數(shù)： 3/6頁(yè)
文件大小： 227K
代理商： 2SK3561
2SK3561
2005-01-26
3
Y
fs
– I
D
GATE-SOURCE VOLTAGE V
GS
(V)
I
D
– V
GS
0
0
2
4
6
8
4
20
Tc
=
55°C
25
100
8
12
16
GATE-SOURCE VOLTAGE V
GS
(V)
D
D
COMMON SOURCE
VDS
=
20 V
PULSE TEST
10
D
D
V
DS
– V
GS
COMMON SOURCE
Tc
=
25
℃
PULSE TEST
0
4
6
8
10
0
ID
=
8 A
4
8
12
16
20
2
4
2
DRAIN CURRENT I
D
(A)
F
Y
f
0.1
10
100
0.1
1
100
10
1
16
12
8
4
0
20
0
20
40
50
VGS
=
4 V
4.5
5
5.5
10
15
6
30
10
DRAIN-SOURCE VOLTAGE V
DS
(V)
I
D
– V
DS
D
D
COMMON SOURCE
Tc
=
25°C
PULSE TEST
DRAIN-SOURCE VOLTAGE V
DS
(V)
I
D
– V
DS
D
D
COMMON SOURCE
Tc
=
25°C
PULSE TEST
10
8
4
2
0
0
2
4
6
8
10
VGS
=
4 V
4.25
4.5
4.75
5
5.25
6
10
15
6
R
DS (ON)
– I
D
0.1
0.1
1
10
100
1
10
VGS
=
10 V
15V
DRAIN CURRENT I
D
(A)
D
R
D
)
COMMON SOURCE
Tc
=
25°C
PULSE TEST
25
100
Tc
=
55°C
Tc
=
55°C
25
100
COMMON SOURCE
VDS
=
10 V
PULSE TEST
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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2SK3563 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (PIE-MOS?)
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參數(shù)描述
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