型號: | 2SK3554-01 |
廠商: | FUJI ELECTRIC CO LTD |
元件分類: | JFETs |
英文描述: | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
中文描述: | 25 A, 250 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
封裝: | TO-220AB, 3 PIN |
文件頁數(shù): | 2/4頁 |
文件大小: | 111K |
代理商: | 2SK3554-01 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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2SK3556-01L | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
2SK3556-01S | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
2SK3556-01SJ | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
2SK3556 | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
2SK3560 | Silicon N-channel power MOSFET For PDP/For high-speed switching |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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2SK3554-01SC | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
2SK3555-01MRSC-P | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
2SK3557-6-TB-E | 功能描述:射頻JFET晶體管 LOW-FREQUENCY AMPLIFIER RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導 gFS(最大值/最小值): 電阻汲極/源極 RDS(導通): 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流(Vgs=0 時的 Idss):25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel |
2SK3557-7-TB-E | 功能描述:MOSFET LOW-FREQUENCY AMPLIFIER RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
2SK3561 | 功能描述:MOSFET N-Ch 500V 8A Rdson 0.85 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |