參數資料
型號： 2SK3543
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (PIE-MOSV)
中文描述： 東芝場效應晶體管硅?頻道馬鞍山類型（喝醉MOSV）
文件頁數： 4/6頁
文件大小： 234K
代理商： 2SK3543
2SK3543
2002-09-04
4
D
D
G
t
Case temperature Tc (°C)
RDS (ON) Tc
D
D
Drain-source voltage V
DS
(V)
IDR VDS
D
D
Drain-source voltage V
DS
(V)
Capacitance – VDS
C
Case temperature Tc (°C)
V
th
Tc
Case temperature Tc (°C)
P
D
Tc
D
D
G
G
Total gate charge Q
g
(nC)
Dynamic input/output characteristics
10
1000
30
100
1
0.1
100
10
Ciss
Coss
Crss
Common source
VGS 0 V
f 1 MHz
Tc 25°C
2
5
50
300
500
0.3 0.5
3
5
30 50
50
10
30
20
40
0
0
80
120
200
40
160
0
10
2
6
4
8
40
80
160
0
40
80
Common source
VGS 10 V
pulse test
ID 2 A
0.5
1.0
0.01
10
0.03
0.3
3
0.2
0
1.0
0.6
0.4
0.8
1
0.1
10
3
1
VGS 0, 1 V
Common
source
VGS 10 V
pulse test
5
1
3
2
4
0
80
0
40
80
120
160
40
Common source
VDS 10 V
ID 1 mA
pulse test
500
100
300
200
400
0
0
20
4
12
8
16
0
VDS 360 V
180
VGS
VDS
Common source
ID 2 A
Tc 25°C
pulse test
4
6
8
10
12
14
2
90
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