參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK3543
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (PIE-MOSV)
中文描述： 東芝場(chǎng)效應(yīng)晶體管硅?頻道馬鞍山類型（喝醉MOSV）
文件頁(yè)數(shù)： 1/6頁(yè)
文件大小： 234K
代理商： 2SK3543
2SK3543
2002-09-04
1
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (
π
-MOS
V
)
2SK3543
Switching Regulator and DC-DC Converter Applications
Motor Drive Applications
Low drain-source ON resistance: R
DS (ON)
= 1.9
(typ.)
High forward transfer admittance: |Y
fs
| = 1.3 S (typ.)
Low leakage current: I
DSS
= 100 μA (max) (V
DS
= 450 V)
Enhancement-model: V
th
= 2.0 to 4.0 V (V
DS
= 10 V, I
D
= 1 mA)
Maximum Ratings
(Ta 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Drain-source voltage
V
DSS
450
V
Drain-gate voltage (R
GS
20 k )
V
DGR
450
V
Gate-source voltage
V
GSS
30
V
DC
(Note 1)
I
D
2
Drain current
Pulse (Note 1)
I
DP
5
A
Drain power dissipation (Tc 25°C)
P
D
30
W
Single pulse avalanche energy
(Note 2)
E
AS
103
mJ
Avalanche current
I
AR
2
A
Repetitive avalanche energy (Note 3)
E
AR
3
mJ
Channel temperature
T
ch
150
°C
Storage temperature range
T
stg
55 to150
°C
Thermal Characteristics
Characteristics
Symbol
Max
Unit
Thermal resistance, channel to case
R
th (ch-c)
4.17
°C/W
Thermal resistance, channel to ambient
R
th (ch-a)
62.5
°C/W
Note 1: Please use devices on condition that the channel temperature is below 150°C.
Note 2: V
DD
90 V, T
ch
25°C (initial), L 42.8 mH, R
G
25 , I
AR
2 A
Note 3: Repetitive rating: Pulse width limited by maximum channel temperature
This transistor is an electrostatic sensitive device. Please handle with caution.
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
SC-67
TOSHIBA
2-10R1B
Weight: 1.9 g (typ.)
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PDF描述
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