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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SK3233 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| 中文描述： | 硅?通道場效應(yīng)晶體管高速電源開關(guān) |
| 文件頁數(shù)： | 1/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 46K |
| 代理商： | 2SK3233 |
2SK3233
Silicon N Channel MOS FET
High Speed Power Switching
ADE-208-1369 (Z)
1st. Edition
Mar. 2001
Features
Low on-resistance: R
DS(on)
= 1.1
typ.
Low leakage current: IDSS = 1
μ
A max (at VDS = 500 V)
High speed switching: tf = 15 ns typ (at VGS = 10 V, VDD = 250 V, ID = 2.5 A)
Low gate charge: Qg = 15 nC typ (at VDD = 400 V, VGS = 10 V, ID = 5 A)
Avalanche ratings
Outline
123
1. Gate
2. Drain
3. Source
TO–220CFM
D
G
S
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