參數(shù)資料
型號： 2SK3163
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon N Channel MOS FET(N溝道MOSFET)
中文描述： 硅?通道場效應(yīng)晶體管（不適用溝道MOSFET的）
文件頁數(shù)： 5/9頁
文件大?。?/td> 127K
代理商： 2SK3163
2SK3163
5
0.1
0.3
1
3
10
30
100
0
10
20
30
40
50
1000
10000
3000
100
80
60
40
20
0
20
16
12
8
4
80
160
240
320
400
0
1000
100
200
20
10
0.1 0.2
2
10
100
1000
500
100
200
20
50
10
di / dt = 50 A / μs
V = 0, Ta = 25 °C
300
20
1
Reverse Drain Current I (A)
R
Body–Drain Diode Reverse
Recovery Time
C
Drain to Source Voltage V (V)
Typical Capacitance vs.
Drain to Source Voltage
Gate Charge Qg (nc)
C
C
G
G
Dynamic Input Characteristics
Drain Current I (A)
S
Switching Characteristics
100
V = 0
f = 1 MHz
Ciss
Coss
Crss
I = 75 A
V
GE
V
CE
V = 50 V
25 V
10 V
V = 50 V
25 V
10 V
0.5
5
500
50
50
V = 10 V, V = 30 V
PW = 5 μs, duty < 1 %
r
d(on)
t
d(off)
t
tf
30000
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