參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK2912L
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
中文描述： 硅?通道場(chǎng)效應(yīng)晶體管高速電源開關(guān)
文件頁數(shù)： 7/10頁
文件大?。?/td> 53K
代理商： 2SK2912L
2SK2912(L), 2SK2912(S)
7
50
40
30
20
10
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
V = 0, –5 V
10 V
5 V
200
160
120
80
40
25
50
75
100
125
150
0
Channel Temperature Tch (
°
C)
R
A
Maximum Avalanche Energy vs.
Channel Temperature Derating
D. U. T
Rg
I
Monitor
AP
V
Monitor
DS
V
DD
50
Vin
15 V
0
I
D
V
DS
I
AP
V
(BR)DSS
L
V
DD
E = 1
2
V
V – V
AP
DSS
DD
2
Avalanche Test Circuit
Avalanche Waveform
Source to Drain Voltage V (V)
R
D
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
Pulse Test
I = 40 A
V = 25 V
duty < 1 %
Rg > 50
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PDF描述
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