參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK2912L
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
中文描述： 硅?通道場(chǎng)效應(yīng)晶體管高速電源開關(guān)
文件頁數(shù)： 3/10頁
文件大?。?/td> 53K
代理商： 2SK2912L
2SK2912(L), 2SK2912(S)
3
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Conditions
Drain to source breakdown
voltage
V
(BR)DSS
60
—
—
V
I
D
= 10mA, V
GS
= 0
Gate to source breakdown
voltage
V
(BR)GSS
±
20
—
—
V
I
G
=
±
100
μ
A, V
DS
= 0
Gate to source leak current
I
GSS
I
DSS
—
—
±
10
μ
A
μ
A
V
GS
=
±
16V, V
DS
= 0
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0
Zero gate voltege drain
current
—
—
10
Gate to source cutoff voltage
V
GS(off)
1.5
—
2.5
V
I
D
= 1mA, V
DS
= 10V
I
D
= 20A, V
GS
= 10V*
1
I
D
= 20A, V
GS
= 4V*
1
I
D
= 20A, V
DS
= 10V*
1
V
DS
= 10V
V
GS
= 0
f = 1MHz
Static drain to source on state R
DS(on)
resistance
—
15
20
m
m
R
DS(on)
|y
fs
|
Ciss
—
25
40
Forward transfer admittance
20
35
—
S
Input capacitance
—
1500
—
pF
Output capacitance
Coss
—
720
—
pF
Reverse transfer capacitance
Crss
—
200
—
pF
Turn-on delay time
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
V
DF
—
20
—
ns
I
D
= 20A, V
GS
= 10V
R
L
= 1.5
Rise time
—
180
—
ns
Turn-off delay time
—
200
—
ns
Fall time
—
200
—
ns
Body to drain diode forward
voltage
—
0.95
—
V
I
F
= 40A, V
GS
= 0
Body to drain diode reverse
recovery time
Note:
1. Pulse test
t
rr
—
70
—
V
I
= 40A, V
= 0
diF/ dt = 50A/
μ
s
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PDF描述
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