參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK2828
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
中文描述： 硅?通道場(chǎng)效應(yīng)晶體管高速電源開關(guān)
文件頁數(shù)： 3/10頁
文件大?。?/td> 45K
代理商： 2SK2828
2SK2828
3
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Conditions
Drain to source breakdown voltage V
(BR)DSS
Gate to source breakdown voltage V
(BR)GSS
Gate to source leak current
700
—
—
V
I
D
= 10mA, V
GS
= 0
I
G
=
±
100
μ
A, V
DS
= 0
V
GS
=
±
25V, V
DS
= 0
V
DS
= 560 V, V
GS
= 0
I
D
= 1mA, V
DS
= 10V*
3
I
D
= 6A, V
GS
= 10V*
3
±
30
—
—
V
I
GSS
I
DSS
V
GS(off)
R
DS(on)
—
—
±
10
μ
A
μ
A
Zero gate voltege drain current
—
—
100
Gate to source cutoff voltage
2.0
—
3.0
V
Static drain to source on state
resistance
—
0.9
1.2
Forward transfer admittance
|y
fs
|
Ciss
5.5
9.0
—
S
I
D
= 6A, V
DS
= 10V*
3
V
DS
= 10V
V
GS
= 0
f = 1MHz
Input capacitance
—
1850
—
pF
Output capacitance
Coss
—
400
—
pF
Reverse transfer capacitance
Crss
—
45
—
pF
Total gate charge
Qg
—
35
—
nc
V
DD
= 400V
V
GS
= 10V
I
D
= 12A
I
D
= 6A, R
L
= 5
V
GS
= 10V
Gate to source charge
Qgs
—
8
—
nc
Gate to drain charge
Qgd
—
10
—
nc
Turn-on delay time
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
V
DF
t
rr
—
25
—
ns
Rise time
—
65
—
ns
Turn-off delay time
—
140
—
ns
Fall time
—
55
—
ns
Body–drain diode forward voltage
—
0.95
—
V
I
F
= 12A, V
GS
= 0
I
= 12A, V
= 0
diF/ dt =100A/
μ
s
Body–drain diode reverse
recovery time
Note:
3. Pulse test
—
2.5
—
μ
s
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