參數(shù)資料
型號： 2SK2826
廠商： NEC Corp.
元件分類： MOSFETs
英文描述： Switching N-channel power MOS FET industrial use
中文描述： N溝道 開關(guān)功率場效應(yīng)晶體管 工業(yè)級
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大?。?/td> 74K
代理商： 2SK2826
Data Sheet D11273EJ2V0DS00
7
2SK2826
PACKAGE DRAWINGS (Unit : mm)
1)TO-220AB (MP-25) 2)TO-262 (MP-25 Fin Cut)
4.8 MAX.
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
1 2 3
10.6 MAX.
10.0
3.6±0.2
φ
4
3
1.3±0.2
0.75±0.1
2.54 TYP.
2.54 TYP.
5
6
1
1
1.3±0.2
0.5±0.2
2.8±0.2
4.8 MAX.
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
1
2
3
(10)
4
1.3±0.2
0.75±0.3
2.54 TYP.
2.54 TYP.
8
1
1.3±0.2
0.5±0.2
2.8±0.2
1
3)TO-263 (MP-25ZJ)
(10)
1.4±0.2
1
2.54 TYP.
2.54 TYP.
8
1
2
3
5
4
2
4.8 MAX.
1.3±0.2
0.5±0.2
(05R
(08R
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
0.7±0.2
Remark
The diode connected between the gate and source of the transistor serves as a protector against ESD.
When this device actually used, an additional protection circuit is externally required if a voltage
exceeding the rated voltage may be applied to this device.
Source
Body
Diode
Gate
Protection
Diode
Gate
Drain
EQUIVALENT CIRCUIT
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PDF描述
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