參數(shù)資料
型號: 2SK2826
廠商: NEC Corp.
元件分類: MOSFETs
英文描述: Switching N-channel power MOS FET industrial use
中文描述: N溝道 開關(guān)功率場效應(yīng)晶體管 工業(yè)級
文件頁數(shù): 6/8頁
文件大小: 74K
代理商: 2SK2826
Data Sheet D11273EJ2V0DS00
6
2SK2826
SINGLE AVALANCHE ENERGY vs.
INDUCTIVE LOAD
L
- Inductive Load - H
A
SINGLE AVALANCHE ENERGY
DERATING FACTOR
Starting Tch - Starting Channel Temperature -
C
E
25
50
75
100
V
DD
= 30 V
V
GS
= 20 V
0 V
R
G
= 25
10
μ
100
μ
10
100
1 m
10 m
60
40
20
0
160
140
125
150
1.0
120
100
80
I
AS
= 70 A
E
AS
= 490 mJ
V
DD
= 30 V
R
G
= 25
V
GS
=
20
V
0
V
I
AS
70 A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SK2826-S Switching N-channel power MOS FET industrial use
2SK2826-ZJ Switching N-channel power MOS FET industrial use
2SK2828 Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
2SK2848 MOSFET
2SK2851 Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SK2826-Z(AZ) 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
2SK2827-01SC 制造商:Fuji Electric 功能描述:
2SK2835TP 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 200V 5A 3PIN TPS - Tape and Reel
2SK2837 功能描述:MOSFET N-CH 500V 20A TO-3PN RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK2837(Q) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 500V 20A 3PIN 2-16C1C - Rail/Tube 制造商:Toshiba 功能描述:Nch 500V 20A 0.27@10V TO3P(N) Bulk