參數(shù)資料
型號： 2SK2826-ZJ
廠商： NEC Corp.
元件分類： MOSFETs
英文描述： Switching N-channel power MOS FET industrial use
中文描述： N溝道 開關(guān)功率場效應(yīng)晶體管 工業(yè)級
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大小： 74K
代理商： 2SK2826-ZJ
Data Sheet D11273EJ2V0DS00
5
2SK2826
1.0
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
T
ch
- Channel Temperature -
C
R
D
I
S
CAPACITANCE vs. DRAIN TO
SOURCE VOLTAGE
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
C
i
,
o
,
r
SWITCHING CHARACTERISTICS
I
D
- Drain Current - A
t
d
,
r
,
d
,
f
10
0.1
0
- 50
5
0
50
100
150
I
D
= 25 A
100
0.1
1 000
10 000
100 000
1
10
100
V
= 0 V
f = 1 MHz
100
1 000
10 000
1
10
V
G
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DRAIN CURRENT
I
F
- Drain Current - A
t
r
di/dt = 100 A/
μ
s
V
GS
= 0 V
1
0.1
10
1.0
10
100
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
80
Q
G
- Gate Charge - nC
V
D
0
50
100
150
200
20
40
60
2
4
10
20
15
C
oss
C
rss
V
DD
= 48 V
30 V
12 V
V
DS
t
f
1000
100
6
8
V
GS
V
GS
= 10 V
0
1.5
t
r
t
d(on)
t
d(off)
V
SD
- Source to Drain Voltage - V
0.5
Pulsed
V
GS
= 10 V
V
GS
= 0 V
SOURCE TO DRAIN DIODE FORWARD VOLTAGE
0.1
1
10
100
V
GS
= 4.0 V
C
iss
100
V
DD
= 30 V
V
GS
= 10 V
R
G
= 10
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