參數(shù)資料
型號： 2SK2613
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (PIE-MOSIII)
中文描述： 東芝場效應晶體管硅?頻道馬鞍山類型（喝醉MOSIII）
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 232K
代理商： 2SK2613
2SK2613
2002-08-09
4
100
10
10000
100
1000
1
0.1
1000
10
Ciss
Coss
Crss
Common source
VGS 0 V
f 1 MHz
Tc 25°C
VGS 0, 1 V
0
100
0.1
1
10
0.2
0
1.2
0.6
1
3
10
0.4
0.8
1.0
D
D
G
t
Case temperature Tc (°C)
R
DS (ON)
Tc
D
D
Drain-source voltage V
DS
(V)
I
DR
V
DS
D
D
Drain-source voltage V
DS
(V)
Capacitance – V
DS
C
Case temperature Tc (°C)
V
th
Tc
Case temperature Tc (°C)
P
D
Tc
0
5
1
3
2
4
40
80
160
0
40
80
Common source
VGS 10 V
Pulse test
ID 8 A
2
4
200
40
120
80
160
0
0
80
120
200
40
160
D
D
G
G
Total gate charge Q
g
(nC)
Dynamic input/output characteristics
5
1
3
2
4
0
80
0
40
80
120
160
40
Common source
VDS 10 V
ID 1 mA
Pulse test
500
100
300
200
400
0
0
40
60
80
100
20
Common source
ID 8 A
Tc 25°C
Pulse test
400
200
VDS 100 V
VDS
VGS
20
4
12
8
16
0
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PDF描述
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