- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄370107 > 2SK2315 (Hitachi,Ltd.) Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | 2SK2315 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅N溝道場效應(yīng)晶體管（不適用溝道MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 3/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 42K |
| 代理商： | 2SK2315 |
2SK2315
3
1.6
1.2
0.8
0.4
0
C
(
50
100
150
200
Ambient Temperature Ta (°C)
Power vs. Temperature Derating
Drain to Source Voltage V (V)
D
D
Maximum Safe Operation Area
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0.02
0.05
0.01
0.005
0.2
0.5
1
2
5
10 20
50 100 200
Operation in
PW=10ms
100 μs
Ta = 25 °C
1 shot pulse
DCOpeaion
5
4
3
2
1
0
Drain to Source Voltage V (V)
D
D
Typical Output Characteristics
2
4
6
8
10
3 V
2.5 V
2 V
Ta = 25 °C
Pulse Test
V = 1.5 V
10 V
5 V
4 V
3.5 V
5
4
3
2
1
0
Gate to Source Voltage V (V)
GS
D
D
Typical Transfer Characteristics
Tc = 75 °C
25 °C
–25 °C
V = 10 V
Pulse Test
1
2
3
4
5
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK2322S | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK2322 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK2322L | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK2328 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK2329 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK2315TY(TR-E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SK2315TYTL-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET |
| 2SK2315TYTR | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 2A UPAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| 2SK2315TYTR-E | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 2A 4-UPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| 2SK2316 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:Ultrahigh-Speed Switching Applications |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。