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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SK2315 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管（不適用溝道MOSFET的） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/6頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 42K |
| 代理商： | 2SK2315 |
2SK2315
2
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25
°
C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Drain to source voltage
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse)
*
I
DR
Pch*
60
V
Gate to source voltage
±
20
2
V
Drain current
A
Drain peak current
1
±
4
2
A
Body to drain diode reverse drain current
A
Channel dissipation
2
1
W
Channel temperature
Tch
150
°
C
°
C
Storage temperature
Notes 1. PW
≤
10
μ
s, duty cycle
≤
1 %
2. When using the alumina ceramic board (12.5
×
20
×
0.7mm)
3. Marking is “TY”
Tstg
–55 to +150
Electrical Characteristics
(Ta = 25
°
C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Conditions
Drain to source breakdown
voltage
V
(BR)DSS
60
—
—
V
I
D
= 10 mA, V
GS
= 0
Gate to source breakdown
voltage
V
(BR)GSS
±
20
—
—
V
I
G
=
±
100
μ
A, V
DS
= 0
Gate to source leak current
I
GSS
—
—
±
5
5
μ
A
μ
A
V
V
GS
=
±
16 V, V
DS
= 0
V
DS
= 50 V, V
GS
= 0
I
D
= 1 mA, V
DS
= 10 V
I
D
= 0.3 A
V
GS
= 3 V*
I
D
= 1 A
V
GS
= 4 V*
I
D
= 1 A
V
DS
= 10 V*
V
DS
= 10 V
V
= 0
f = 1 MHz
Zero gate voltage drain current I
DSS
Gate to source cutoff voltage
—
—
V
GS(off)
R
DS(on)
0.5
—
1.5
Static drain to source on state
resistance
—
0.4
0.6
1
—
0.35
0.45
1
Forward transfer admittance
|y
fs
|
1.5
1.8
—
S
1
Input capacitance
Ciss
—
173
—
pF
Output capacitance
Coss
—
85
—
pF
Reverse transfer capacitance
Crss
—
23
—
pF
Turn-on time
t
on
—
21
—
ns
I
D
= 1 A, R
L
= 30
V
GS
= 10 V
Turn-off time
Note
t
off
—
85
—
ns
1. Pulse Test
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK2322S | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK2322 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK2322L | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK2328 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK2329 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK2315TY(TR-E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SK2315TYTL-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET |
| 2SK2315TYTR | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 2A UPAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| 2SK2315TYTR-E | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 2A 4-UPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| 2SK2316 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:Ultrahigh-Speed Switching Applications |
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