參數(shù)資料
型號: 2SK2203
廠商: Hitachi,Ltd.
英文描述: Silicon N-Channel MOS FET
中文描述: 硅N溝道場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù): 7/10頁
文件大?。?/td> 50K
代理商: 2SK2203
2SK2203
7
100
80
60
40
20
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
Drain to Source Voltage V (V)
Pulse Test
R
D
V = 0, –5 V
10 V
5 V
Reverse Drain Current vs.
Souece to Drain Voltage
250
200
150
100
50
Channel Temperature Tch (
°
C)
R
A
Maximun Avalanche Energy vs.
Channel Temperature Derating
25
50
75
100
125
150
0
I = 50 A
V = 25 V
duty < 0.1 %
Rg > 50
D. U. T
Rg
I
Monitor
AP
V
Monitor
DS
V
DD
50
Vin
–15 V
0
I
D
V
DS
I
AP
V
(BR)DSS
L
V
DD
E = 1
2
V
V – V
AP
DSS
DD
2
Avalanche Test Circuit and Waveform
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PDF描述
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參數(shù)描述
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