參數(shù)資料
型號: 2SK2203
廠商: Hitachi,Ltd.
英文描述: Silicon N-Channel MOS FET
中文描述: 硅N溝道場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù): 6/10頁
文件大小: 50K
代理商: 2SK2203
2SK2203
6
5
0.1
10
500
200
100
50
20
Reverse Drain Current I (A)
R
0.3
1
3
10
30
100
di / dt = 50 A /
μ
s
V = 0, Ta = 25
°
C
Body to Drain Diode Reverse
Recovery Time
100000
10000
1000
100
0
10
20
30
40
50
C
Drain to Source Voltage V (V)
Ciss
Coss
Crss
V = 0
f = 1 MHz
Typical Capacitance vs.
Drain to Source Voltage
100
80
60
40
20
0
80
160
240
320
400
Gate Charge Qg (nc)
D
D
20
16
12
8
4
0
G
G
V = 10 V
25 V
50 V
I = 50 A
V
GS
DS
V
V = 10 V
25 V
50 V
Dynamic Input Characteristics
5000
2000
1000
500
200
100
50
Drain Current I (A)
S
0.1
0.3
1
3
10
30
100
V = 10 V, V = 30 V
PW = 5
μ
s, duty < 1 %
tf
r
d(on)
t
d(off)
t
Switching Characteristics
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PDF描述
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參數(shù)描述
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