參數(shù)資料
型號： 2SK2159
廠商： NEC Corp.
英文描述： N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING
中文描述： N溝道場效應(yīng)晶體管的高速開關(guān)
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大?。?/td> 62K
代理商： 2SK2159
2SK2159
3
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25 C)
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
T
A
- Ambient Temperature - C
d
0
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
I
D
0.11
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
I
D
0
TRANSFER CHARACTERISTICS
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
I
D
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
I
D
- Drain Current - A
|
f
|
0.001
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE
vs. DRAIN CURRENT
I
D
- Drain Current - A
R
D
0
0.001
20
40
60
80
100
30
60
90
120
150
2
5
10
20
50
100
0.2
0.5
10
5
1
2
1ms
10ms
PW=100ms
DC
1
2
3
4
5
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
7V
35V
25V
20V
1.5 V
V
GS
= 1.0 V
0.001
0.01
0.1
1
10
1
2
3
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
T
A
= –25 °C
25 °C
75 °C
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0.1
1
10
T
A
= 75 °C
25 °C
–25 °C
V
DS
= 10 V
V
DS
= 10 V
V
GS
= 1.5 V
T
A
= 75 °C
25 ° C
–25 °C
0.01
Single pulse
0
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PDF描述
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