參數(shù)資料
型號： 2SJ648
廠商： NEC Corp.
英文描述： MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
中文描述： MOS場效應管
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 135K
代理商： 2SJ648
Data Sheet D16597EJ2V0DS
4
2SJ648
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
DRAIN CURRENT
R
DS(
on)
-Drain
to
Source
On-state
Resistance
-
0
1
2
3
4
0
- 2
- 4
- 6
- 8
- 10
- 12
Pulsed
ID =
0.20 A
R
DS(
on)
-Drain
to
Source
On-state
Resistance
-
0
1
2
3
4
- 0.01
- 0.1
- 1
- 10
VGS =
4.5 V
Pulsed
25°C
75°C
TA = 125°C
VGS - Gate to Source Voltage - V
ID - Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
DRAIN CURRENT
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
DRAIN CURRENT
R
DS(
on)
-Drain
to
Source
On-state
Resistance
-
0
1
2
3
4
- 0.01
- 0.1
- 1
- 10
VGS =
4.0 V
Pulsed
25°C
75°C
TA = 125°C
R
DS(
on)
-Drain
to
Source
On-state
Resistance
-
0
1
2
3
4
- 0.01
- 0.1
- 1
- 10
VGS =
2.5 V
Pulsed
25°C
75°C
TA = 125°C
ID - Drain Current - A
CAPACITANCE vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
SWITCHING CHARACTERISTICS
1
10
100
- 0.1
- 1
- 10
- 100
VGS = 0 V
f = 1.0 MHz
Ciss
Coss
Crss
10
100
1000
- 0.01
- 0.1
- 1
- 10
VDD =
10 V
VGS =
4.0 V
RG = 10
td(off)
td(on)
tf
tr
C
is
s,
C
os
s,
C
rss
-Capacitance
-pF
VDS - Drain to Source Voltage - V
td(
on)
,t
r,t
d(
off)
,t
f-
Switching
Time
-ns
ID - Drain Current - A
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PDF描述
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參數(shù)描述
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2SJ649 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
2SJ649-AZ 功能描述:MOSFET P-CH -60V -20A TO-220 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SJ650 功能描述:MOSFET P-CH 60V 12A TO-220ML RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SJ651 功能描述:MOSFET P-CH 60V 20A TO-220ML RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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