參數(shù)資料
型號： 2SJ648
廠商： NEC Corp.
英文描述： MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
中文描述： MOS場效應(yīng)管
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 135K
代理商： 2SJ648
Data Sheet D16597EJ2V0DS
2
2SJ648
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C)
CHARACTERISTICS
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Zero Gate Voltage Drain Current
IDSS
VDS =
20 V, VGS = 0 V
1.0
A
Gate Leakage Current
IGSS
VGS = m12 V, VDS = 0 V
m10
A
Gate Cut-off Voltage
VGS(off)
VDS =
10 V, ID = 1.0 mA
0.8
1.3
1.8
V
Forward Transfer Admittance
Note
| yfs |
VDS =
10 V, ID = 0.2 A
0.2
0.6
S
Drain to Source On-state Resistance
Note
RDS(on)1
VGS =
4.5 V, ID = 0.2 A
1.17
1.45
RDS(on)2
VGS =
4.0 V, ID = 0.2 A
1.25
1.55
RDS(on)3
VGS =
2.5 V, ID = 0.15 A
2.25
2.98
Input Capacitance
Ciss
VDS = –10 V
29
pF
Output Capacitance
Coss
VGS = 0 V
15
pF
Reverse Transfer Capacitance
Crss
f = 1 MHz
3.0
pF
Turn-on Delay Time
td(on)
VDD =
10 V, ID = 0.2 A
23
ns
Rise Time
tr
VGS =
4.0 V
39
ns
Turn-off Delay Time
td(off)
RG = 10
50
ns
Fall Time
tf
33
ns
Body Diode Forward Voltage
VF(S-D)
IF = 0.4 A, VGS = 0 V
0.93
V
Note Pulsed PW
≤ 350
s, Duty Cycle ≤ 2%
TEST CIRCUIT SWITCHING TIME
PG.
RG
0
VGS ()
D.U.T.
RL
VDD
τ = 1 s
Duty Cycle
≤ 1%
τ
VGS
Wave Form
VDS
Wave Form
VGS()
VDS()
10%
0
90%
VGS
VDS
ton
toff
td(on)
tr
td(off)
tf
10%
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PDF描述
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參數(shù)描述
2SJ648-T1-A 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 0.4A 3-Pin SC-75 T/R Cut Tape 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Pch MOSFET,20V,0.4A,1.17ohm,USM3 制造商:Renesas 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 0.4A 3-Pin SC-75 T/R
2SJ649 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
2SJ649-AZ 功能描述:MOSFET P-CH -60V -20A TO-220 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SJ650 功能描述:MOSFET P-CH 60V 12A TO-220ML RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SJ651 功能描述:MOSFET P-CH 60V 20A TO-220ML RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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