參數(shù)資料
型號(hào)： 2SJ246L
廠(chǎng)商： Hitachi,Ltd.
英文描述： SILICON P-CHANNEL MOS FET
中文描述： 硅P溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管
文件頁(yè)數(shù)： 3/7頁(yè)
文件大小： 39K
代理商： 2SJ246L
40
30
20
10
0
50
100
150
200
Case Temperature Tc (°C)
P
Power vs. Temperature Derating
–50
–30
–10
–3
–1
–0.3
–0.1
–0.3
–1
–3
–10
–30 –50
Drain to Source Voltage V (V)
D
D
10μs
100μs
PW=10ms(1sho)
1ms
Operation in this area is
limited by R
DS(on)
Ta = 25°C
Maximum Safe Operation Area
–10
–8
–6
–4
–2
0
–2
–4
–6
–8
DS
–10
Drain to Source Voltage V (V)
D
D
–3 V
V = –2.5 V
–3.5 V
Pulse test
–4 V
–5 V
–6 V
–10V
Typical Output Characteristics
–10
–8
–6
–4
–2
0
–1
–2
–3
–4
GS
–5
Gate to Source Voltage V (V)
D
D
V = –10 V
75°C
Pulse test
25°C
Tc = –25°C
Typical Transfer Characteristics
2SJ246 L , 2SJ246 S
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PDF描述
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